華太電子已經(jīng)成功量產(chǎn)了1200V、1700V及650V功率模塊。采用超低損耗精細(xì)溝槽柵（TrenchGate）IGBT芯片組，結(jié)合場(chǎng)截止（FS）技術(shù)，顯著降低導(dǎo)通損耗（VCE(sat)和開(kāi)關(guān)損耗（Eon/Eoff），支持650V（W2封裝）、1200V(D2)、1700V（ED3封裝）等多電壓等級(jí)，滿足不同功率需求。采用低熱阻結(jié)構(gòu)及低雜散電感設(shè)計(jì)，最高結(jié)溫175°C。主要應(yīng)用于光伏與儲(chǔ)能、工業(yè)控制、新能源汽車等領(lǐng)域