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FS-IGBT單管系列產(chǎn)品

華太電子已經(jīng)成功量產(chǎn)了1200V和650V場(chǎng)截止IGBT（FS-IGBT）。這些器件采用國(guó)際領(lǐng)先的第七代工藝，并采用精細(xì)溝槽柵的設(shè)計(jì)。

概覽

華太電子已經(jīng)成功量產(chǎn)了1200V和650V場(chǎng)截止IGBT（FS-IGBT）產(chǎn)品，F(xiàn)S-IGBT技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電力控制和汽車電子等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用，為提高效率和性能提供了先進(jìn)的解決方案。
華太FS-IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的第七代工藝，基于精細(xì)溝槽柵器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)，上述設(shè)計(jì)極大地優(yōu)化了IGBT導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。此外，為適應(yīng)工業(yè)控制應(yīng)用領(lǐng)域的需求，F(xiàn)S-IGBT平臺(tái)已開發(fā)具備13us短路能力的系列產(chǎn)品。
目前，F(xiàn)S-IGBT已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用，包括光伏逆變器、不間斷電源、通用變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器以及汽車空調(diào)等應(yīng)用。
- 超低開關(guān)損耗
- 超低靜態(tài)損耗
- 內(nèi)部集成SiC肖特基二極管(SBD)或FRD可選
- 最大結(jié)溫高達(dá)175℃
- 符合JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
- 提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率
- 降低系統(tǒng)散熱需求
- 提升系統(tǒng)功率密度
- 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

產(chǎn)品選型表

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篩選器

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名稱 類型 語(yǔ)言 日期

命名規(guī)則

常見問(wèn)題

Q：華太I(xiàn)GBT產(chǎn)品和其他國(guó)產(chǎn)品牌對(duì)比在性能和價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)是什么?

A:開關(guān)損耗較競(jìng)品小30%；劣勢(shì)：di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過(guò)大，需要外電路匹配產(chǎn)品具有很好的性價(jià)比，產(chǎn)品性能優(yōu)于國(guó)際頭部友商，價(jià)格與國(guó)內(nèi)IGBT基本持平。

Q：SJIGBT相對(duì)FSIGBT的優(yōu)缺點(diǎn)，需要提供相關(guān)的測(cè)試數(shù)據(jù)，特別是SJ相對(duì)比現(xiàn)在FS的缺點(diǎn)，有碰到哪些問(wèn)題？成本優(yōu)勢(shì)？供應(yīng)？還是技術(shù)還存在某些問(wèn)題？是否是制約當(dāng)前SJIGBT發(fā)展的重要因素。

A：開關(guān)損耗較競(jìng)品小30%；劣勢(shì)：di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過(guò)大，需要外電路匹配。

H8G1819M10P

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