華太電子研發(fā)出650V和1200V超級(jí)結(jié)IGBT系列產(chǎn)品。相較傳統(tǒng)溝槽型IGBT,Super Junction IGBT充分利用超級(jí)結(jié)的優(yōu)勢(shì),可有效提升器件的正向?qū)ㄌ匦约伴_(kāi)關(guān)特性。
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Q:SJIGBT的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在導(dǎo)通還是開(kāi)關(guān),適用于哪些應(yīng)用,對(duì)于現(xiàn)有FSIGBT是替代關(guān)系還是補(bǔ)充關(guān)系?
A:SJ IGBT得益于器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn),在導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)方面均有明顯優(yōu)勢(shì),特別是適用于高頻應(yīng)用,如:光伏、儲(chǔ)能、充電樁等應(yīng)用場(chǎng)合。目前,SJ IGBT具有兩個(gè)系列(SHF系列和SHP系列),其中SHF系列主要是通過(guò)跟FS IGBT替代來(lái)打入市場(chǎng),SHP系列產(chǎn)品可拓寬FSIGBT應(yīng)用范圍(補(bǔ)充關(guān)系)。
Q:華太I(xiàn)GBT產(chǎn)品和其他國(guó)產(chǎn)品牌對(duì)比在性能和價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)是什么?
A:開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)品小30%;劣勢(shì):di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過(guò)大,需要外電路匹配產(chǎn)品具有很好的性價(jià)比,產(chǎn)品性能優(yōu)于國(guó)際頭部友商,價(jià)格與國(guó)內(nèi)IGBT基本持平。
Q:SJIGBT相對(duì)FSIGBT的優(yōu)缺點(diǎn),需要提供相關(guān)的測(cè)試數(shù)據(jù),特別是SJ相對(duì)比現(xiàn)在FS的缺點(diǎn),有碰到哪些問(wèn)題?成本優(yōu)勢(shì)?供應(yīng)?還是技術(shù)還存在某些問(wèn)題?是否是制約當(dāng)前SJIGBT發(fā)展的重要因素。
A:開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)品小30%;劣勢(shì):di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過(guò)大,需要外電路匹配。
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